【字体:放大 正常 缩小】 【双击鼠标左键自动滚屏】 |
登录日期:2018-05-10 【编辑录入:lrylry】 文章出处:《文汇报》2018年5月10日第6版 |
首片国产6英寸晶圆 |
原标题:首片国产6英寸碳化硅MOSFET晶圆在沪诞生 |
作者:文汇报首席记者 许琦敏
阅读次数:6129
|
将为电力电子芯片产品的升级提供核心保证
记者昨天从临港科技城获悉,第一片国产6英寸碳化硅 (SiC) MOSFET晶圆日前在该园区企业上海瞻芯电子科技有限公司诞生。
单晶碳化硅是一种新颖的半导体材料,具有高禁带宽度、高击穿场强和高热导率等优良特性,成为制作高温、高频和大功率电力电子器件的理想半导体材料。由于它制成的MOSFET (金属氧化物场效应晶体管)器件,开关速度数倍于传统硅基产品,因此用它开发出的电动车电控系统重量可减轻约三分之二,体积可缩小80%。
近年来,随着6英寸碳化硅晶圆在国际上的大规模投产,绿色节能的碳化硅半导体产业链正在逐步形成中。“它能为电力电子芯片产品的升级提供核心保证。”瞻芯电子的相关负责人介绍,这种芯片将推进混合和纯电动汽车、太阳能光伏、风力发电、高铁及轨道交通、智能电网、智能家电以及航空航天等产业发生革命性的改变。
该公司去年7月在上海临港科技城正式注册成立,在不到一年时间里,完成了芯片设计,并成功地在一条成熟量产的6英寸工艺生产线上,完成了碳化硅 (SiC) MOSFET的制造流程。晶圆级测试结果表明,各项电学参数达到预期。
目前,国内相关行业龙头企业比亚迪、阳光电源和华为等都已经在旗舰产品系列中广泛使用了碳化硅MOSFET。国际上,欧洲的350千瓦超级充电站已经采用了此类模块产品;新一代新能源车里的双向车载充电器以及高性能电驱动单元,也成为此类器件应用的绝佳场所。
上图:第一片国产6英寸碳化硅MOSFET晶圆成功打通工艺流程,今后将运用于多个行业。(上海瞻芯电子科技有限公司供图)
(文章来源:《文汇报》2018年5月10日第6版 )
荐稿人:lry 2018-05-10 执行编辑:lyh 2018-05-10 责任编辑:zjy 2018-05-10 |
0 |
相关评论: (评论内容只代表网友观点,与本站立场无关!)
|
-
暂无相关信息
当前位置:首页